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半導體雷射

 

種類

 

種類

活性物質 

振盪波長

型態

特徵

He-Ne雷射

Ne

632.8nm

連續

功率小
操縱簡單

二氧化碳雷射

CO2

10640nm

連續

高輸出.高效率 遠紅外線

YAG雷射

Nd

1064nm

脈衝/連續

高能量脈衝.高輸出.
高速往復

半導體雷射

GaAlAs/GaAS
InGaAsP/InP
(PbSn)SnTc

300-1600nm

脈衝/連續

消耗功率小.使用壽命長.
體積輕巧.效益高

是半體雷射

半導體雷射係以半導體當活性介質,通以順向偏壓激發,半導體能階躍遷 過

程產生居量反轉分布,經由裁切半導體磊晶所形成的兩面光滑切面,來當

振腔鏡面,使雷射光共振放大輸出。 一般體積0.4~2mm之間。

 

是氦雷射

氦氖雷射是目前最普遍的低功率雷射,其結構示意圖如下圖所示,15% 的氦與85%的氖密封於雷射管內,管的後端為反射平面鏡,前端則為部 分透光、部分反射的凹面鏡,凹面鏡可將平面鏡反射而來的光聚焦後反 射回去,光子在兩鏡之間來回反射而達到放大數目的功效,凹面鏡因半 透明,故雷射光得以射出。氦氖雷射的光波長為632.8奈米。

 

VS 生化雷射(效用)

一.Total antioxidant capacity (TAC) 總抗氧化能力指標

抗氧化能力在體內扮演著預防自由和其他有瘡化物形成除的能力生物 性檢驗中測試其抗氧化能力可作為內對抗自由及氧壓力造成傷害之本檢測原理係針對銅離子還原能力程度作為還能力指標還原量趨勢表 示該檢體之總抗氧化能力越強。

 

二.Nitrite stress (氧化壓力指標)

許多研究中皆顯示氧化壓力與退化神經疾病的病機、細凋亡、心血管 疾病丶衰老甚至是癌症有關,而氧壓力的造成由於內氧物質的增加、 抗氧化物的降低或 是修復氧化物質所造成損傷的能力弱。氧化物通稱性氧

 

 

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